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HVLP极低轮廓电子电路铜箔

NO 项目  Condition  Unit Test Method/ Reference Standard HVLP Grade
H oz 
LW-S1 LW-S2 LW-S3 LW-S4
1 厚度  常态  (μm) IPC-TM-650 2.2.12 18±1.8 18±1.8 18±1.8 18±1.8
2 基重 常态  (g/m2 ) IPC-TM-650 2.2.12 153±5  153±5  153±5  153±5 
3 纯度 常态 % IPC-TM-650 2.3.15 ≥99.8 ≥99.8 ≥99.8 ≥99.8
4 电阻率   常态 Ω-g/m2 IPC-TM-650 2.5.14 ≤0.166 ≤0.166 ≤0.166 ≤0.166
5 抗张强度 常温下 25℃ (kg/mm2 ) IPC-TM-650 2.4.18 ≥30 ≥30 ≥30 ≥30
高温下 180℃ (5min) ≥17 ≥17 ≥17 ≥17
6 延伸率 常温下 25℃ % IPC-TM-650 2.4.18 ≥8 ≥8 ≥8 ≥8
高温下 180℃ (5min) ≥5 ≥5 ≥5 ≥5
7 剥离强度*1 常态 25℃ (lb/inch) IPC-TM-650 2.4.8 ≥3.2 ≥3.0 ≥2.9 ≥2.3
N/mm ≥0.57 ≥0.54 ≥0.5 ≥0.40
8 粗糙度   (接触法) 非处理面 Ra  (μm) JIS B  0601   (JIS94) ≤0.40 ≤0.40 ≤0.40 ≤0.40
压合面 Rz  (μm) JIS B 0601    (JIS94) ≤2.0 ≤1.5 ≤0.8 ≤0.6
9 铜粉测试 常态 等级 -  0-1 0-1 0-1 0-1
10 抗热测试 200℃ (60min) - -  Pass Pass Pass Pass
11 应用 高速数字; 基站/服务器/存储/交换机(400G以上);材料:低损耗、超低损耗、极低损耗基板
12 特点 ①出色的信号完整性(SI)性能;②良好的蚀刻能力;③较低的电阻率;④与PPO/PPE树脂体系搭配具有高剥离强度;⑤出色的PIM、抗氧化和保质期
13 Note *1 :使用低损耗粘结片测试剥离强度。

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